casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT40A512M16LY-075:E TR

| Número da peça de fabricante | MT40A512M16LY-075:E TR |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-MT40A512M16LY-075:E TR |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| MT40A512M16LY-075:E TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de memória | Volatile |
| Formato de memória | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
| Tamanho da memória | 8Gb (512M x 16) |
| Freqüência do relógio | 1.33GHz |
| Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
| Tempo de acesso | - |
| Interface de memória | Parallel |
| Tensão - fonte | 1.14V ~ 1.26V |
| Temperatura de operação | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo de montagem | - |
| Pacote / caso | - |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT40A512M16LY-075:E TR Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | MT40A512M16LY-075:E TR-FT |

MT29F4G16ABADAH4-AIT:D
Micron Technology Inc.

MT29F4G16ABADAH4-AIT:D TR
Micron Technology Inc.

MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D
Micron Technology Inc.

MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D TR
Micron Technology Inc.

MT29F4G16ABBDAH4-IT:D TR
Micron Technology Inc.

MT29F4T08CTHBBM5-3R:B
Micron Technology Inc.

MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR
Micron Technology Inc.

MT29F4T08EUHAFM4-3T:A
Micron Technology Inc.

MT29F4T08EUHAFM4-3T:A TR
Micron Technology Inc.

MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B
Micron Technology Inc.

LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation

EP3SE50F484C2
Intel

EP4CE115F23I8L
Intel

XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.

LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation

EP3SE110F780C2N
Intel

EP20K100BC356-2N
Intel

EP4SGX360FF35C4
Intel