casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT49H32M18CSJ-18:B TR
Número da peça de fabricante | MT49H32M18CSJ-18:B TR |
---|---|
Número da peça futura | FT-MT49H32M18CSJ-18:B TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT49H32M18CSJ-18:B TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | DRAM |
Tamanho da memória | 576Mb (32M x 18) |
Freqüência do relógio | 533MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | 15ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 144-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 144-FBGA (18.5x11) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H32M18CSJ-18:B TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT49H32M18CSJ-18:B TR-FT |
MT47H256M4HQ-3:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M4HQ-5E:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-37E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-37V:B
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-5E:B
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-5E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-37E:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-3:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M4BP-37E:B
Micron Technology Inc.
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel