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Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-3:E TR

Name: MT47H512M4THN-3:E TR
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: MT47H512M4THN-3:E TR
Availability: InStock
Rating: 4.8 (333 reviews)

Número da peça MFG: MT47H512M4THN-3:E TR

Quantidade disponível: 10000 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Micron Technology Inc.

Descrição breve: - IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Memória

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: MT47H512M4THN-3:E TR.pdf

MT47H512M4THN-3:E TR Especificações

Número da peça de fabricante	MT47H512M4THN-3:E TR
Número da peça futura	FT-MT47H512M4THN-3:E TR
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
MT47H512M4THN-3:E TR Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo de memória	Volatile
Formato de memória	DRAM
Tecnologia	SDRAM - DDR2
Tamanho da memória	2Gb (512M x 4)
Freqüência do relógio	333MHz
Escrever tempo de ciclo - Word, página	15ns
Tempo de acesso	450ps
Interface de memória	Parallel
Tensão - fonte	1.7V ~ 1.9V
Temperatura de operação	0°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	63-FBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	63-FBGA (9x11.5)
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT47H512M4THN-3:E TR Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	MT47H512M4THN-3:E TR-FT

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