casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT47H512M4THN-3:E TR
Número da peça de fabricante | MT47H512M4THN-3:E TR |
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Número da peça futura | FT-MT47H512M4THN-3:E TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT47H512M4THN-3:E TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Tamanho da memória | 2Gb (512M x 4) |
Freqüência do relógio | 333MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 450ps |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 63-FBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 63-FBGA (9x11.5) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H512M4THN-3:E TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT47H512M4THN-3:E TR-FT |
MT46V32M16BN-5B:F
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6 IT:F
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6 IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75 IT:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75 IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75 L:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75 L:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75:C
Micron Technology Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel