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MT47H512M4THN-37E:E TR Image

Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-37E:E TR

Número da peça MFG
MT47H512M4THN-37E:E TR
Quantidade disponível
12330 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Micron Technology Inc.
Descrição breve
- IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Memória
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
MT47H512M4THN-37E:E TR.pdf
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MT47H512M4THN-37E:E TR Especificações

Número da peça de fabricante MT47H512M4THN-37E:E TR
Número da peça futura FT-MT47H512M4THN-37E:E TR
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
MT47H512M4THN-37E:E TR Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo de memória Volatile
Formato de memória DRAM
Tecnologia SDRAM - DDR2
Tamanho da memória 2Gb (512M x 4)
Freqüência do relógio 267MHz
Escrever tempo de ciclo - Word, página 15ns
Tempo de acesso 500ps
Interface de memória Parallel
Tensão - fonte 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de operação 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / caso 63-FBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 63-FBGA (9x11.5)
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT47H512M4THN-37E:E TR Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição MT47H512M4THN-37E:E TR-FT

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