casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT47H512M4THN-37E:E TR
Número da peça de fabricante | MT47H512M4THN-37E:E TR |
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Número da peça futura | FT-MT47H512M4THN-37E:E TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT47H512M4THN-37E:E TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Tamanho da memória | 2Gb (512M x 4) |
Freqüência do relógio | 267MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 500ps |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 63-FBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 63-FBGA (9x11.5) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H512M4THN-37E:E TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT47H512M4THN-37E:E TR-FT |
MT46V32M16BN-5B:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-5B:F
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6 IT:F
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6 IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75 IT:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75 IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75 L:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75 L:C TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672I6
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel
10AX027E1F29I1HG
Intel