casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT46V128M4P-6T:D
Número da peça de fabricante | MT46V128M4P-6T:D |
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Número da peça futura | FT-MT46V128M4P-6T:D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT46V128M4P-6T:D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR |
Tamanho da memória | 512Mb (128M x 4) |
Freqüência do relógio | 167MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 700ps |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.3V ~ 2.7V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 66-TSOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V128M4P-6T:D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT46V128M4P-6T:D-FT |
NAND04GW3B2DN6E
Micron Technology Inc.
NAND04GW3C2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND08GW3C2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND08GW3D2AN6E
Micron Technology Inc.
NAND08GW3F2AN6E
Micron Technology Inc.
NAND128W3A0BN6E
Micron Technology Inc.
NAND128W3A0BN6F TR
Micron Technology Inc.
NAND128W3A2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND128W3A2BN6F TR
Micron Technology Inc.
NAND128W3A2BNXE
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel