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Micron Technology Inc. NAND04GW3C2BN6E

Name: NAND04GW3C2BN6E
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: NAND04GW3C2BN6E
Availability: InStock
Rating: 4.8 (709 reviews)

Número da peça MFG: NAND04GW3C2BN6E

Quantidade disponível: 58510 Peças

Preço de referência: USD 0

Nosso preço: Temos um grande desconto, entre em contato conosco

Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Micron Technology Inc.

Descrição breve: - IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Memória

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: NAND04GW3C2BN6E.pdf

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NAND04GW3C2BN6E Especificações

Número da peça de fabricante	NAND04GW3C2BN6E
Número da peça futura	FT-NAND04GW3C2BN6E
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
NAND04GW3C2BN6E Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo de memória	Non-Volatile
Formato de memória	FLASH
Tecnologia	FLASH - NAND
Tamanho da memória	4Gb (512M x 8)
Freqüência do relógio	-
Escrever tempo de ciclo - Word, página	25ns
Tempo de acesso	25ns
Interface de memória	Parallel
Tensão - fonte	2.7V ~ 3.6V
Temperatura de operação	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	48-TSOP
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NAND04GW3C2BN6E Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	NAND04GW3C2BN6E-FT

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