casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / NAND128W3A2BN6E
Número da peça de fabricante | NAND128W3A2BN6E |
---|---|
Número da peça futura | FT-NAND128W3A2BN6E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NAND128W3A2BN6E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 128Mb (16M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 50ns |
Tempo de acesso | 50ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 48-TSOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND128W3A2BN6E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NAND128W3A2BN6E-FT |
MT29F256G08CJAABWP-12Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AAAWP TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AABWP TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AABWP-ET TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AACWP:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AADWP-ET:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AADWP:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP:E
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel