casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT46V128M4P-6T:D TR
Número da peça de fabricante | MT46V128M4P-6T:D TR |
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Número da peça futura | FT-MT46V128M4P-6T:D TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT46V128M4P-6T:D TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR |
Tamanho da memória | 512Mb (128M x 4) |
Freqüência do relógio | 167MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 700ps |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.3V ~ 2.7V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 66-TSOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V128M4P-6T:D TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT46V128M4P-6T:D TR-FT |
NAND04GW3C2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND08GW3C2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND08GW3D2AN6E
Micron Technology Inc.
NAND08GW3F2AN6E
Micron Technology Inc.
NAND128W3A0BN6E
Micron Technology Inc.
NAND128W3A0BN6F TR
Micron Technology Inc.
NAND128W3A2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND128W3A2BN6F TR
Micron Technology Inc.
NAND128W3A2BNXE
Micron Technology Inc.
NAND16GW3D2BN6E
Micron Technology Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel