casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR
Número da peça de fabricante | MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR |
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Número da peça futura | FT-MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 256Gb (32G x 8) |
Freqüência do relógio | 267MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR-FT |
MT29F1G16ABBEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAH4:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAHC:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAHC:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAM68M3WC2
Micron Technology Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel