casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F1G16ABBEAM68M3WC2
Número da peça de fabricante | MT29F1G16ABBEAM68M3WC2 |
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Número da peça futura | FT-MT29F1G16ABBEAM68M3WC2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F1G16ABBEAM68M3WC2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 1Gb (64M x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G16ABBEAM68M3WC2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F1G16ABBEAM68M3WC2-FT |
MT29F128G08CFABAWP-IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABAWP:B
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABAWP:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFCGBWP-10M:G
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCBBJ4-6:B
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBB05A3WC1ES
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:D
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBJ4-5M:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel