casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F1G16ABBEAHC:E TR
Número da peça de fabricante | MT29F1G16ABBEAHC:E TR |
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Número da peça futura | FT-MT29F1G16ABBEAHC:E TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F1G16ABBEAHC:E TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 1Gb (64M x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 63-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 63-VFBGA (10.5x13) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G16ABBEAHC:E TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F1G16ABBEAHC:E TR-FT |
MT29F128G08CFABAWP-IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABAWP-IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABAWP:B
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABAWP:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFCGBWP-10M:G
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCBBJ4-6:B
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBB05A3WC1ES
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:D
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBJ4-5M:D TR
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel