casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / MSD30-12
Número da peça de fabricante | MSD30-12 |
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Número da peça futura | FT-MSD30-12 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MSD30-12 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1.2kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 30A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 100A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200µA @ 1200V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | QC Terminal |
Pacote / caso | M1 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | MSD |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSD30-12 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MSD30-12-FT |
GBU8005TB
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XC6SLX150T-N3FGG484C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C2LN
Intel
10AX048H2F34E2SG
Intel
A40MX04-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35E3SG
Intel
EP20K160EQI240-3
Intel
EP1K50QC208-2
Intel