casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MB85RS512TPNF-G-JNERE1
Número da peça de fabricante | MB85RS512TPNF-G-JNERE1 |
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Número da peça futura | FT-MB85RS512TPNF-G-JNERE1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MB85RS512TPNF-G-JNERE1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FRAM |
Tecnologia | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Tamanho da memória | 512Kb (64K x 8) |
Freqüência do relógio | 30MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | SPI |
Tensão - fonte | 1.8V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RS512TPNF-G-JNERE1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MB85RS512TPNF-G-JNERE1-FT |
IDT71V416VS15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA90DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA120DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA150DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA25DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA35DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA45DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA55DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA70DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel