casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / 6116LA150DB
Número da peça de fabricante | 6116LA150DB |
---|---|
Número da peça futura | FT-6116LA150DB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
6116LA150DB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 16Kb (2K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 150ns |
Tempo de acesso | 150ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 24-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 24-CDIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116LA150DB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 6116LA150DB-FT |
71V416S10PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA10PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel