casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / 6116LA45DB
Número da peça de fabricante | 6116LA45DB |
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Número da peça futura | FT-6116LA45DB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
6116LA45DB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 16Kb (2K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 45ns |
Tempo de acesso | 45ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 24-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 24-CDIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116LA45DB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 6116LA45DB-FT |
71V416L10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA10PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel