casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M93C76-RMN3TP/K
Número da peça de fabricante | M93C76-RMN3TP/K |
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Número da peça futura | FT-M93C76-RMN3TP/K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
M93C76-RMN3TP/K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Tamanho da memória | 4Kb (512 x 8, 256 x 16) |
Freqüência do relógio | 2MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 5ms |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | SPI |
Tensão - fonte | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M93C76-RMN3TP/K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M93C76-RMN3TP/K-FT |
TC58BVG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BYG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG3S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
XC3S1000-4FG676I
Xilinx Inc.
XC4036XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
5CGXFC5F6M11I7N
Intel
XC7VX330T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FFG1761E
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FF1927I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
XA6SLX25-3CSG324Q
Xilinx Inc.