casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M93C66-WMN6TP
Número da peça de fabricante | M93C66-WMN6TP |
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Número da peça futura | FT-M93C66-WMN6TP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M93C66-WMN6TP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Tamanho da memória | 4Kb (512 x 8, 256 x 16) |
Freqüência do relógio | 2MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 5ms |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | SPI |
Tensão - fonte | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M93C66-WMN6TP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M93C66-WMN6TP-FT |
TC58BVG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BYG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.