casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / LQG18HN82NJ00D
Número da peça de fabricante | LQG18HN82NJ00D |
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Número da peça futura | FT-LQG18HN82NJ00D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LQG18 |
LQG18HN82NJ00D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | Air |
Indutância | 82nH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 300mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 850 mOhm Max |
Q @ Freq | 12 @ 100MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 900MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.037" (0.95mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQG18HN82NJ00D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LQG18HN82NJ00D-FT |
LQM2HPN4R7MGSL
Murata Electronics North America
LQM2HPNR24MGHL
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LQM2HPNR47MJHL
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LQM2HPN1R0MJCL
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LQM2HPN2R2NJCL
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DFE252012F-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012F-2R2M=P2
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DFE252012F-4R7M=P2
Murata Electronics North America
XA6SLX45-3CSG484I
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XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FG676I
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XC3S400-5PQG208C
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A3PN010-QNG48I
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EP3C80F484C8N
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EP4CE6F17C6N
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XC6VLX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation