casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / DFE252012F-4R7M=P2
Número da peça de fabricante | DFE252012F-4R7M=P2 |
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Número da peça futura | FT-DFE252012F-4R7M=P2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DFE252012F |
DFE252012F-4R7M=P2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 4.7µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.5A |
Atual - saturação | 2.4A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 190 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252012F-4R7M=P2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DFE252012F-4R7M=P2-FT |
DFE252012R-H-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012P-R47M=P2
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1269AS-H-R47M=P2
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1269AS-H-4R7M=P2
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XC3S1200E-5FT256C
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XC7A200T-1FBG676C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE6E22A7N
Intel
5SGXMA9N2F45I2LN
Intel
5SGXMA4K3F35I3LN
Intel
XA7A75T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F45E3LG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel