casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / DFE252012F-1R0M=P2
Número da peça de fabricante | DFE252012F-1R0M=P2 |
---|---|
Número da peça futura | FT-DFE252012F-1R0M=P2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DFE252012F |
DFE252012F-1R0M=P2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 1µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 3.3A |
Atual - saturação | 5.3A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 40 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252012F-1R0M=P2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DFE252012F-1R0M=P2-FT |
1286AS-H-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012P-R68M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012R-H-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012P-R47M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012P-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610P-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012P-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012P-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610P-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610P-2R2M=P2
Murata Electronics North America
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEABK1H40C2N
Intel
LFE2M35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C8N
Intel