casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / LQA40B150C
Número da peça de fabricante | LQA40B150C |
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Número da peça futura | FT-LQA40B150C |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Qspeed™ |
LQA40B150C Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 20A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 20A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 16.9ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500µA @ 150V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQA40B150C Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LQA40B150C-FT |
RB731UT108
Rohm Semiconductor
BAS21VD,165
Nexperia USA Inc.
HN1D01F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D02F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D03FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
NSVBAS21TMR6T2G
ON Semiconductor
BAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
BAS16UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS21AVD,135
Nexperia USA Inc.
XC3S1500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQ208I
Microsemi Corporation
EPF6010ATC100-1
Intel
EPF10K50SFC256-2X
Intel
10CX105YF672E6G
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508I5
Intel