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Número da peça de fabricante | LAL03VBR82M |
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Número da peça futura | FT-LAL03VBR82M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LA, L Type |
LAL03VBR82M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 820nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 290mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 740 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25.2MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 170MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 25.2MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.102" Dia x 0.276" L (2.60mm x 7.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL03VBR82M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LAL03VBR82M-FT |
LAL03TAR22M
Taiyo Yuden
LAL03TAR27M
Taiyo Yuden
LAL03TAR33M
Taiyo Yuden
LAL03TAR39M
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LAL03TAR82M
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LAL03TB100K
Taiyo Yuden
LAL03TB101K
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A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FG256A
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50EFC484-1
Intel
5SGXEA7K2F40I2LN
Intel
XC6SLX16-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-70E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C4N
Intel
5SGXEA3H3F35C3N
Intel