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Número da peça de fabricante | LAL03TAR39M |
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Número da peça futura | FT-LAL03TAR39M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LA, L Type |
LAL03TAR39M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 390nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 350mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 510 mOhm Max |
Q @ Freq | 35 @ 25.2MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 300MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 25.2MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.102" Dia x 0.276" L (2.60mm x 7.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL03TAR39M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LAL03TAR39M-FT |
LAL03KH820K
Taiyo Yuden
LAL03KH821K
Taiyo Yuden
LAL03KH8R2K
Taiyo Yuden
LAL03KHR22M
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ICE40HX1K-VQ100
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XCKU095-1FFVC1517I
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XC3S200-4VQ100I
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XC3S50-4VQG100I
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XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
APA300-FGG256A
Microsemi Corporation
APA600-FGG256A
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45I3LN
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EP3SE80F1152I4N
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