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Número da peça de fabricante | LAL03TAR82M |
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Número da peça futura | FT-LAL03TAR82M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LA, L Type |
LAL03TAR82M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 820nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 290mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 740 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25.2MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 170MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 25.2MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.102" Dia x 0.276" L (2.60mm x 7.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL03TAR82M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LAL03TAR82M-FT |
LAL03KHR27M
Taiyo Yuden
LAL03KHR33M
Taiyo Yuden
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LAL03NA100K
Taiyo Yuden
LAL03NA101K
Taiyo Yuden
LAL03NA102K
Taiyo Yuden
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel