casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - JFETs / J112-D27Z
Número da peça de fabricante | J112-D27Z |
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Número da peça futura | FT-J112-D27Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
J112-D27Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tensão - Divisão (V (BR) GSS) | 35V |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | - |
Corrente - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 5mA @ 15V |
Dreno atual (Id) - Max | - |
Tensão - Corte (VGS desligado) @ Id | 1V @ 1µA |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Resistência - RDS (On) | 50 Ohms |
Potência - Max | 625mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
J112-D27Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | J112-D27Z-FT |
J105
ON Semiconductor
J113
ON Semiconductor
J112
ON Semiconductor
J109
ON Semiconductor
PF5102
ON Semiconductor
J107
ON Semiconductor
J106
ON Semiconductor
J111
ON Semiconductor
2N3820
ON Semiconductor
2N5457G
ON Semiconductor
XCKU060-3FFVA1517E
Xilinx Inc.
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
EP4SE360F35I4N
Intel
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-70E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S30B956C7
Intel