Número da peça de fabricante | J112 |
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Número da peça futura | FT-J112 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
J112 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tensão - Divisão (V (BR) GSS) | 35V |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | - |
Corrente - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 5mA @ 15V |
Dreno atual (Id) - Max | - |
Tensão - Corte (VGS desligado) @ Id | 1V @ 1µA |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Resistência - RDS (On) | 50 Ohms |
Potência - Max | 625mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
J112 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | J112-FT |
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J111
ON Semiconductor
2N3820
ON Semiconductor
2N5457G
ON Semiconductor
LFE2-12E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL1000V5-FG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C7
Intel
5SGXMA4K2F40C3N
Intel
EP2AGX65DF25I5
Intel
EP4S100G5F45I3N
Intel
XC5VLX30-2FFG324I
Xilinx Inc.
XC6VSX315T-L1FFG1156C
Xilinx Inc.
10AX057K2F40E2SG
Intel
10AX115R4F40I4SGES
Intel