Número da peça de fabricante | J111 |
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Número da peça futura | FT-J111 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
J111 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tensão - Divisão (V (BR) GSS) | 35V |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | - |
Corrente - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 20mA @ 15V |
Dreno atual (Id) - Max | - |
Tensão - Corte (VGS desligado) @ Id | 3V @ 1µA |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Resistência - RDS (On) | 30 Ohms |
Potência - Max | 625mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
J111 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | J111-FT |
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A3PE600-PQG208I
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40I2LN
Intel
XA7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFXP10C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35I5N
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EPF10K100EBI356-3
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EP20K100EFC324-3N
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