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IXYS IXTD2N60P-1J

Name: IXTD2N60P-1J
Brand: IXYS
SKU: IXTD2N60P-1J
Availability: InStock
Rating: 4.6 (347 reviews)

Número da peça MFG: IXTD2N60P-1J

Quantidade disponível: 57610 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: IXYS

Descrição breve: PolarHV™ MOSFET N-CH 600

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IXTD2N60P-1J.pdf

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IXTD2N60P-1J Especificações

Número da peça de fabricante	IXTD2N60P-1J
Número da peça futura	FT-IXTD2N60P-1J
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	PolarHV™
IXTD2N60P-1J Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Last Time Buy
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.1 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	240pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	56W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	Die
Pacote / caso	Die
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTD2N60P-1J Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IXTD2N60P-1J-FT

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