casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFG55N50
Número da peça de fabricante | IXFG55N50 |
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Número da peça futura | FT-IXFG55N50 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HiPerFET™ |
IXFG55N50 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 48A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 27.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9400pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 400W (Tc) |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ISO264™ |
Pacote / caso | ISO264™ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFG55N50 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXFG55N50-FT |
IRF7737L2TRPBF
Infineon Technologies
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IRFC3306EB
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A3PE600-2FGG484I
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LFE3-35EA-8LFTN256C
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10M25DAF256C7G
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EP3SE260F1152I3
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LCMXO640C-4M100C
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EP3SE110F780C2
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