casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFI7N80P
Número da peça de fabricante | IXFI7N80P |
---|---|
Número da peça futura | FT-IXFI7N80P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFI7N80P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 800V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.44 Ohm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1890pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 200W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-262 (I2PAK) |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFI7N80P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXFI7N80P-FT |
IRFC3206EB
Infineon Technologies
IRFC3306EB
Infineon Technologies
IRFC3710ZEB
Infineon Technologies
IRFC4010EB
Infineon Technologies
IRFC4020D
Infineon Technologies
IRFC4104EB
Infineon Technologies
IRFC4115EB
Infineon Technologies
IRFC4115ED
Infineon Technologies
IRFC4127ED
Infineon Technologies
IRFC4227EB
Infineon Technologies
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel