casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFP3N80
Número da peça de fabricante | IXFP3N80 |
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Número da peça futura | FT-IXFP3N80 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HiPerFET™ |
IXFP3N80 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 800V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.6A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 685pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 100W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFP3N80 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXFP3N80-FT |
IXFP4N60P3
IXYS
IXFP102N15T
IXYS
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EP4S100G3F45I3N
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XC4028XL-09HQ208C
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XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
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EP3SE80F780C4
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EPF10K30AQC208-1N
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