casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFP10N80P
Número da peça de fabricante | IXFP10N80P |
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Número da peça futura | FT-IXFP10N80P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFP10N80P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 800V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 300W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFP10N80P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXFP10N80P-FT |
IXTH2N170D2
IXYS
IXTH30N25
IXYS
IXTH30N50
IXYS
IXTH30N50L
IXYS
IXTH36N20T
IXYS
IXTH36N50P
IXYS
IXTH40N50L2
IXYS
IXTH41N25
IXYS
IXTH44N30T
IXYS
IXTH48N15
IXYS
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel