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IXYS IXFP180N10T2

Name: IXFP180N10T2
Brand: IXYS
SKU: IXFP180N10T2
Price: 3.024 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (245 reviews)

Número da peça MFG: IXFP180N10T2

Quantidade disponível: 79210 Peças

Preço de referência: USD 3.024

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fabricante: IXYS

Descrição breve: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ MOSFET N-CH 100V 180A TO-220

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IXFP180N10T2.pdf

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IXFP180N10T2 Especificações

Número da peça de fabricante	IXFP180N10T2
Número da peça futura	FT-IXFP180N10T2
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
IXFP180N10T2 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	180A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	185nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10500pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	480W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-220AB
Pacote / caso	TO-220-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFP180N10T2 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IXFP180N10T2-FT

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