casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFL100N50P
Número da peça de fabricante | IXFL100N50P |
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Número da peça futura | FT-IXFL100N50P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFL100N50P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 20000pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 625W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ISOPLUS264™ |
Pacote / caso | ISOPLUS264™ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFL100N50P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXFL100N50P-FT |
SUM50010E-GE3
Vishay Siliconix
SUM70030E-GE3
Vishay Siliconix
SUP50010E-GE3
Vishay Siliconix
SUP70030E-GE3
Vishay Siliconix
BSM400C12P3G202
Rohm Semiconductor
BSM600C12P3G201
Rohm Semiconductor
DMG4N60SJ3
Diodes Incorporated
SCT2080KEHRC11
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SCT3017ALHRC11
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SCT3022ALHRC11
Rohm Semiconductor
XC2S200-5FGG456I
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AX1000-2FGG484
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LCMXO640E-5FTN256C
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EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel