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Vishay Siliconix SUM50010E-GE3

Número da peça MFG
SUM50010E-GE3
Quantidade disponível
72380 Peças
Preço de referência
USD 3.256
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Data de envio
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fabricante
Vishay Siliconix
Descrição breve
TrenchFET® MOSFET N-CHAN 60-V D2PAK TO-263
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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SUM50010E-GE3 Especificações

Número da peça de fabricante SUM50010E-GE3
Número da peça futura FT-SUM50010E-GE3
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series TrenchFET®
SUM50010E-GE3 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 150A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 212nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 10895pF @ 30V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 375W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-263 (D²Pak)
Pacote / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SUM50010E-GE3 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição SUM50010E-GE3-FT

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