casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSM600C12P3G201
Número da peça de fabricante | BSM600C12P3G201 |
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Número da peça futura | FT-BSM600C12P3G201 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM600C12P3G201 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 1200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 600A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 182mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | +22V, -4V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 28000pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2460W (Tc) |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
Pacote / caso | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM600C12P3G201 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM600C12P3G201-FT |
STWA40N60M2
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