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Número da peça de fabricante | ISC1210ER8R2J |
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Número da peça futura | FT-ISC1210ER8R2J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210ER8R2J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 8.2µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 195mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 1.65 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 35MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210ER8R2J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210ER8R2J-FT |
ISC1210EB68NK
Vishay Dale
ISC1210EB68NM
Vishay Dale
ISC1210EB6R8J
Vishay Dale
ISC1210EB6R8K
Vishay Dale
ISC1210EB820J
Vishay Dale
ISC1210EB820K
Vishay Dale
ISC1210EB82NK
Vishay Dale
ISC1210EB82NM
Vishay Dale
ISC1210EB8R2J
Vishay Dale
ISC1210EB8R2K
Vishay Dale
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel