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Número da peça de fabricante | ISC1210ER8R2J |
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Número da peça futura | FT-ISC1210ER8R2J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210ER8R2J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 8.2µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 195mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 1.65 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 35MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210ER8R2J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210ER8R2J-FT |
ISC1210EB68NK
Vishay Dale
ISC1210EB68NM
Vishay Dale
ISC1210EB6R8J
Vishay Dale
ISC1210EB6R8K
Vishay Dale
ISC1210EB820J
Vishay Dale
ISC1210EB820K
Vishay Dale
ISC1210EB82NK
Vishay Dale
ISC1210EB82NM
Vishay Dale
ISC1210EB8R2J
Vishay Dale
ISC1210EB8R2K
Vishay Dale
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation