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Número da peça de fabricante | ISC1210EB8R2K |
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Número da peça futura | FT-ISC1210EB8R2K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210EB8R2K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 8.2µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 195mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 1.65 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 35MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB8R2K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210EB8R2K-FT |
ISC1210BN68NM
Vishay Dale
ISC1210BN6R8J
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ISC1210BN82NM
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ISC1210BNR10J
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XC2VP7-6FG456C
Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508C3N
Intel