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Número da peça de fabricante | ISC1210EB82NM |
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Número da peça futura | FT-ISC1210EB82NM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210EB82NM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Non-Magnetic |
Indutância | 82nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 460mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 450 mOhm Max |
Q @ Freq | 38 @ 50MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 900MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 50MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB82NM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210EB82NM-FT |
ISC1210BN680K
Vishay Dale
ISC1210BN68NK
Vishay Dale
ISC1210BN68NM
Vishay Dale
ISC1210BN6R8J
Vishay Dale
ISC1210BN6R8K
Vishay Dale
ISC1210BN820J
Vishay Dale
ISC1210BN820K
Vishay Dale
ISC1210BN82NK
Vishay Dale
ISC1210BN82NM
Vishay Dale
ISC1210BN8R2J
Vishay Dale
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel