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Número da peça de fabricante | ISC1210EB1R0K |
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Número da peça futura | FT-ISC1210EB1R0K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210EB1R0K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 1µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 400mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 600 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 120MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB1R0K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210EB1R0K-FT |
ISC1210BN120J
Vishay Dale
ISC1210BN120K
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ISC1210BN12NM
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ISC1210BN1R0J
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EP3CLS200F484I7
Intel
EP3C10E144I7N
Intel
5SGXMA4K1F35I2N
Intel
XC4010XL-09BG256C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176I
Microsemi Corporation
A42MX09-2PQ160
Microsemi Corporation
LFEC6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F324I7N
Intel
EPF10K200SRC240-3
Intel