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Número da peça de fabricante | ISC1210EB1R0J |
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Número da peça futura | FT-ISC1210EB1R0J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210EB1R0J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 1µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 400mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 600 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 120MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB1R0J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210EB1R0J-FT |
ISC1210BN10NM
Vishay Dale
ISC1210BN120J
Vishay Dale
ISC1210BN120K
Vishay Dale
ISC1210BN12NM
Vishay Dale
ISC1210BN150J
Vishay Dale
ISC1210BN150K
Vishay Dale
ISC1210BN15NM
Vishay Dale
ISC1210BN180K
Vishay Dale
ISC1210BN18NK
Vishay Dale
ISC1210BN1R0J
Vishay Dale
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel