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Número da peça de fabricante | ISC1210EB180J |
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Número da peça futura | FT-ISC1210EB180J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210EB180J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 18µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 155mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 2.7 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 2.52MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 17MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 2.52MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB180J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210EB180J-FT |
ISC1210BN100K
Vishay Dale
ISC1210BN101K
Vishay Dale
ISC1210BN10NK
Vishay Dale
ISC1210BN10NM
Vishay Dale
ISC1210BN120J
Vishay Dale
ISC1210BN120K
Vishay Dale
ISC1210BN12NM
Vishay Dale
ISC1210BN150J
Vishay Dale
ISC1210BN150K
Vishay Dale
ISC1210BN15NM
Vishay Dale
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel