casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRLU3110ZPBF
Número da peça de fabricante | IRLU3110ZPBF |
---|---|
Número da peça futura | FT-IRLU3110ZPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRLU3110ZPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 42A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 38A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±16V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 140W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | IPAK (TO-251) |
Pacote / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLU3110ZPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRLU3110ZPBF-FT |
BSZ0902NSATMA1
Infineon Technologies
BSZ025N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSZ018NE2LSIATMA1
Infineon Technologies
BSZ0589NSATMA1
Infineon Technologies
BSZ068N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSZ013NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
BSZ014NE2LS5IFATMA1
Infineon Technologies
BSZ017NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
BSZ018NE2LSATMA1
Infineon Technologies
BSZ019N03LSATMA1
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel