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Infineon Technologies BSZ013NE2LS5IATMA1
- Número da peça MFG
- BSZ013NE2LS5IATMA1
- Quantidade disponível
- 81330 Peças
- Preço de referência
- USD 0.612384
- Nosso preço
- Temos um grande desconto, entre em contato conosco
- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Infineon Technologies
- Descrição breve
- OptiMOS™ MOSFET N-CH 25V 32A 8SON
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- BSZ013NE2LS5IATMA1.pdf
BSZ013NE2LS5IATMA1 Especificações
| Número da peça de fabricante | BSZ013NE2LS5IATMA1 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-BSZ013NE2LS5IATMA1 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | OptiMOS™ |
| BSZ013NE2LS5IATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 25V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Ta), 40A (Tc) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±16V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3400pF @ 12V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TSDSON-8-FL |
| Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| BSZ013NE2LS5IATMA1 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | BSZ013NE2LS5IATMA1-FT |
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