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Infineon Technologies BSZ018NE2LSIATMA1

Name: BSZ018NE2LSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ018NE2LSIATMA1
Price: 0.6006 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (442 reviews)

Número da peça MFG: BSZ018NE2LSIATMA1

Quantidade disponível: 54250 Peças

Preço de referência: USD 0.6006

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: OptiMOS™ MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: BSZ018NE2LSIATMA1.pdf

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BSZ018NE2LSIATMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	BSZ018NE2LSIATMA1
Número da peça futura	FT-BSZ018NE2LSIATMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	OptiMOS™
BSZ018NE2LSIATMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	22A (Ta), 40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2500pF @ 12V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TSDSON-8-FL
Pacote / caso	8-PowerTDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSZ018NE2LSIATMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	BSZ018NE2LSIATMA1-FT

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