casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRLI520N
Número da peça de fabricante | IRLI520N |
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Número da peça futura | FT-IRLI520N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRLI520N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 8.1A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±16V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 30W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB Full-Pak |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLI520N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRLI520N-FT |
IPAW60R380CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R650CEXKSA1
Infineon Technologies
IPAN50R500CEXKSA1
Infineon Technologies
IPAW60R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPAW60R280P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
IPAW60R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R400CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA105N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA70R450P7SXKSA1
Infineon Technologies
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel