casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPAW60R380CEXKSA1
Número da peça de fabricante | IPAW60R380CEXKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPAW60R380CEXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
IPAW60R380CEXKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 320µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 100V |
Recurso FET | Super Junction |
Dissipação de energia (máx.) | 31W (Tc) |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220 Full Pack |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPAW60R380CEXKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPAW60R380CEXKSA1-FT |
BSP316PE6327T
Infineon Technologies
BSP316PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP316PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP317PE6327
Infineon Technologies
BSP317PE6327T
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BSP317PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP318S E6327
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BSP318SL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP320S E6327
Infineon Technologies
BSP320S E6433
Infineon Technologies
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
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A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel