casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPAW60R280P7SXKSA1
Número da peça de fabricante | IPAW60R280P7SXKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPAW60R280P7SXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ P7 |
IPAW60R280P7SXKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 190µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 761pF @ 400V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 24W (Tc) |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220 Full Pack |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPAW60R280P7SXKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPAW60R280P7SXKSA1-FT |
BSP317PE6327T
Infineon Technologies
BSP317PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP318S E6327
Infineon Technologies
BSP318SL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP320S E6327
Infineon Technologies
BSP320S E6433
Infineon Technologies
BSP320SL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP320SL6433HTMA1
Infineon Technologies
BSP321PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP321PL6327HTSA1
Infineon Technologies
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel