casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFU5410
Número da peça de fabricante | IRFU5410 |
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Número da peça futura | FT-IRFU5410 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFU5410 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 205 mOhm @ 7.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 66W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | IPAK (TO-251) |
Pacote / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU5410 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFU5410-FT |
IPN70R360P7SATMA1
Infineon Technologies
IPN70R450P7SATMA1
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IPN80R1K4P7ATMA1
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IPN80R600P7ATMA1
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IPN80R900P7ATMA1
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XC7S100-2FGGA484I
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A3P1000-FGG256
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5SGXMB6R2F40I2LN
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EP4SGX360NF45C3N
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XC7S50-2CSGA324C
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