casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPN80R600P7ATMA1
Número da peça de fabricante | IPN80R600P7ATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPN80R600P7ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ P7 |
IPN80R600P7ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 800V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 500V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 7.4W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-SOT223 |
Pacote / caso | TO-261-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPN80R600P7ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPN80R600P7ATMA1-FT |
IPL60R185C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R255P6AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R285P7AUMA1
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IPL60R365P7AUMA1
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IPL65R070C7AUMA1
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IPL65R099C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL65R130C7AUMA1
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IPL65R165CFDAUMA1
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
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10AX022E3F29I2LG
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5CGXBC9A7U19C8N
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